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A11: Designprozess für 2017er iPhone-Chip beendet

Das iPhone 7 mit seinem A10-Chip ist noch lange nicht auf dem Markt, da nähern sich die Entwicklungsarbeiten am Nachfolger A11 schon ihrem Ende. Apples taiwanischer Chip-Zulieferer TSMC hat einem Bericht zufolge die Designphase des System on a Chip beendet und ist bereit für den "Tape-Out".

Tape-Out-Phase
Der Tape-Out beschreibt in der Chipentwicklung die Phase, ab der eine Fotomaske für die spätere Massenproduktion hergestellt werden kann. Bis zur Massenfertigung wird somit noch eine Weile vergehen. Der A11-Chip soll das Herz des iPhone 7s bilden, das nach üblichem Zyklus im Herbst 2017 auf den Markt kommt.


10 nm Architektur
Bei dem A11 soll erstmals eine Strukturbreite von nur 10 Nanometern aufweisen; bisher ist ein Minimum von 14 Nanometern üblich. Auch die iPhone-Chips bis inklusive des kommenden A10 arbeiten mit dieser Strukturbreite. TSMC strebt aber an, noch in diesem Jahr den 10-nm-Prozess zu zertifizieren, um Anfang 2017 erste Prototypen an Apple senden zu können.

Apple-Aufträge gesplittet?
TSMC rechnet damit, den Auftrag für gut zwei Drittel der A11-Chips zu erhalten. Oftmals musste sich das Unternehmen die Apple-Aufträge mit dem Konkurrenten Samsung teilen. Für den A10-Chip des iPhone 7 sprechen die Gerüchte allerdings von einer exklusiven TSMC-Fertigung.

Kommentare

iMäck
iMäck06.05.16 18:25
Wo war noch Ende im Gelände? 10 oder 6 nm?
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flyingangel06.05.16 20:51
iMäck

Durch neue Materialien, die noch weniger Strom benötigen um einen Transistor zu realisieren, sicher noch viel weniger.
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Krypton06.05.16 22:35
Für längere Zeit hiet man 16nm für das Ende, aktuell sieht man das eher bei 7nm. Hier wird dann vermutlich nicht mehr Silizium zum Einsatz kommen, sondern eher Germanium, Graphen oder andere Stoffe.
Es wurden auch schon einzelne Transistoren im 5nm Prozess hergestellt, das sind bis jetzt aber eher Technologiedemos. Die Technik reicht noch nicht für einen kompletten Chip. Danach wird’s wahrlich «eng».

@flyingangel
«sicher noch viel weniger» ist nicht mehr drin. Schon beim 11nm Prozess sind einzelne Trennlagen zwischen den Transistoren nur noch 1 Atomlage dick. Dünner geht mit den bisher verwendeten Materialien nicht. Ob man was passendes findet und wie weit es dann noch unter die jetzt noch denkbaren 5nm geht, ist alles andere als sicher. Und wie stabil ein Prozessor läuft, bei dem sich nur ein Atom verflüchtigen muss, kannst du dir selbst denken.
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Scrembol
Scrembol07.05.16 10:46
Graphem ist sicher interessant. Bin auf die ersten Serienprozessoren damit gespannt. Die sollen ja quasi keine wärme produzieren und deutlich effizienter arbeiten.
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gfhfkgfhfk09.05.16 08:09
Die Gitterkonstante von Silizium ist 0,543nm, d.h. bei 7nm sind noch mehrere Atomlagen zwischen den Bahnen vorhanden. Ich weiß aus Physikvorträgen, daß sogar Transistoren im Labor mit lediglich einer bis zwei Atomlage (0,5 - 1nm) konstruiert wurden. Das ist zwar noch weit entfernt, von einer Serienproduktion, aber es zeigt, daß es da noch Potential gibt.
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Bodo_von_Greif09.05.16 10:20
Ich kann mich noch erinnern dass man dachte bei Siliziom Prozessoren wäre
bei 100 MHz schluss, danach nur noch Gallium Aresnid
[x] nail here for new monitor
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