Erste Protoypen von DDR3-RAM auf dem Intel Developer Forum
Elpida und Hynix haben einem Bericht von Tom’s Hardware zufolge auf dem Intel Developer Forum erste Protypen von DDR3-RAM ausgestellt. Der Spannung wird bei DDR3-800 demnach von 1,8 auf 1,5 Volt reduziert, wohingegen der
RAM-Frequenz auf bis zu 1,6 GHz erhöht wird. Allerdings erhöht sich Latenz bei DDR3-Speicher gegenüber DDR2-Speicher von 5-5-5 auf 6-6-6, wodurch der neue Speicher für schnelle Computer weniger große Geschwindigkeitsvorteile bietet. DDR3-Speicher soll mit Einführung der Intel Dual-Core Xeon-Prozessoren Anfang 2006 erhältlich sein.
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