Aus Fotos zugespielter Komponenten der kommenden iPhone-Generation geht hervor, dass das iPhone 6s über einen verbesserten LTE-Chip von Qualcomm verfügen wird. Wie den Fotos des Logicboard zu entnehmen ist, verbaut Apple demnach den Qualcomm Gobi 9x35 (MDM9635M), welcher schnelles LTE Advanced mit 300 Mbps (37,5 MB pro Sekunde) über Mobilfunk verspricht. Der im iPhone 6 zum Einsatz kommende Gobi 9x25 erreicht nur LTE-Geschwindigkeit mit 150 Mbps Bandbreite. Zudem soll der neue Qualcomm-Chip weniger Strom benötigen, was der Akku-Laufzeit zugute kommen könnte.

Wie auf den Fotos zu erkennen ist, fällt das Logicboard der kommenden Generation etwas kleiner aus. Es ist recht wahrscheinlich, dass Apple dies nutzt, um den Akku und dessen Kapazität zu vergrößern. Das Gehäuse des iPhone 6s weist nämlich keine offensichtlichen Größenunterschiede zur aktuellen Generation auf. Es gibt allerdings Gerüchte, dass Apple Force Touch in das Display integriert und dadurch das Display etwas dicker ausfällt - möglicherweise zum Nachteil der Akku-Höhe.

Ob es sich beim verbauten Prozessor um einen schnelleren A9 handelt, ist leider nicht zu erkennen. Dies gilt aber als sehr wahrscheinlich, da Apple bislang mit jeder iPhone-Generation auch den Prozessor verbessert hat.


Weiterführende Links:

• 9to5Mac
• Qualcomm 9x35
• Qualcomm 9x25