Bereits seit Jahren arbeiten Chip-Hersteller am Flash-Nachfolger PRAM (Phase Change Random Access Memory), der die Vorteile von DRAM mit seiner hohen Geschwindigkeit und NAND-Flash mit seiner dauerhaften Speicherung der Daten vereint. IBM-Forscher haben es nun geschafft, erstmals in MLC-Organisation zwei Bits in eine Zelle so zu speichern, dass es nicht mit der Zeit durch Phasenverschiebung zu Datenfehlern kommt. IBM rechnet damit, in fünf Jahren sein PRAM zur Marktreife führen zu können. Zunächst soll IBMs PRAM vor allem in Servern zum Einsatz kommen, wo es weniger auf die Kosten als vielmehr auf die Geschwindigkeit ankommt. IBM will dabei nicht die Produktion übernehmen, sondern stattdessen die Technologie an andere Unternehmen lizenzieren. Samsung ist dagegen auf dem PRAM-Gebiet schon weiter und bietet für Mobilgeräte nicht ganz so schnelles NcPRAM an, welches dort gleichermaßen als DRAM- und Flash-Ersatz dient.

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