Intel entwickelt Microchips aus neuem Material
Wie Intel bekannt gegeben hat, ist es ihnen gelungen, einen extrem schnellen und dennoch stromsparenden Transistor-Prototypen aus einem neuen Material zu entwickeln. Gemeinsam mit Forschern von QinetiQ entwickelte Intel demnach einen Transistor auf Basis einer Indium-Antimon-Verbindung (InSb) in 85 nm-Technologie. Durch eine
niedrige Spannung von 0,5 V bei dennoch schnellerer Schaltung ergeben sich für Chips auf Basis dieses Transistors völlig neue Einsatzmöglichkeiten. Intel und QinetiQ rechnen damit, dass die Transistoren bis 2015 zur Serienreife weiter entwickelt werden können und dann in Prozessoren und anderen Chips zur Anwendung kommen.
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