Auf einer Konferenz in Japan haben Forscher von Infineon eine neue Transistorarchitektur vorgestellt, die Elektronik-Chips schneller und effizienter machen soll. Dazu nutzen die Forscher den Multi-Gate-Feldeffekt, durch den zehnmal kleinere Ruheströme und rund 50 Prozent weniger Energiebedarf für Schaltvorgänge notwendig sind. Dazu ist allerdings eine dreidimensionale Konstruktion notwendig, durch die sich der Wirkungsgrad bei Schaltvorgängen erhöht. Infineon hat bereits eine komplexen Schaltungk aus über 23.000 Transistoren in 65-nm-Fertigungstechnik mit der neuen Architektur getestet und damit eine Schaltzeit von 13,9 Pikosekunden (0,000.000.000.013 Sekunden) erreicht. Das Herstellungsverfahren will Infineon nun im Rahmen seiner Beteiligung am europäischen Forschungszentrum IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center) weiter erforschen und bei einer einer 32-nm-Fertigungstechnik als Basis für die Serienfertigung verwenden.

Weiterführende Links:

• infineon.com
• golem.de