Samsung hat neue DDR3-RAM-Module mit einer Kapazität von bis zu 32 GB vorgestellt. Sie bestehen aus 4-Gbit-DRAM-Chips mit einer Strukturbreite von nur 30 Nanometer und erreichen damit eine Geschwindigkeit von bis zu 1,866 GB pro Sekunde. Die Leistungsaufnahme konnte man zugleich um 18 Prozent senken. Für die zweite Jahreshälfte plant Samsung zudem noch effizientere Chips mit einer Strukturbreite von 20 Nanometer. Neben dem großen RAM-Modul hat Samsung auch ein verbessertes Notebook-Modul (DDR3-2133) mit 8 GB Kapazität auf Basis der neuen 4-Gbit-DRAM-Chips vorgestellt. Die Produktion der neuen Chips soll nach Samsungs Plänen bis 2012 einen Anteil von 10 Prozent an der Gesamtproduktion von DRAM erreichen.

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