Samsung hat neue schnelle Mobile-RAM-Chips entwickelt, die Daten mit einer Transferrate von 12,8 GB pro Sekunde übertragen können. Im Vergleich zu bisherigem Mobile-DDR-RAM mit 1,6 GB pro Sekunde entspricht dies eine Geschwindigkeitssteigerung um den Faktor 8. Durch die verwendete Strukturbreite von 50 Nanometer konnte Samsung die Leistungsaufnahme der Chips um rund 87 Prozent senken. Die Kapazität der neuen DRAM-Chips beläuft sich auf 128 MB. Für 2013 plant Samsung Mobile-RAM mit einer Strukturbreite von 20 Nanometer und einer Kapazität von 512 MB. Auf der International Solid-State Circuits Conference in San Francisco will Samsung noch diese Woche weitere Details bekannt geben.

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