Wie der koreanische Elektronikkonzern Samsung bekannt gab, hat man mit der Fertigung der ersten DDR3-RAM-Module in 30 Nanometer Strukturbreite begonnen. Die verbauten Chips erreichen eine Kapazität von jeweils 2 Gbit, womit RAM-Module mit bis zu 32 GB Kapazität möglich sind. Durch die verringerte Strukturbreite konnte Samsung zudem die notwendige Leistungsaufnahme verringern und die Geschwindigkeit erhöhen. Bei einer Spannung von 1,5 Volt lassen sich bis zu 2.133 Gbit je Sekunde übertragen, was umgerechnet einer Geschwindigkeit von 266 GB je Sekunde entspricht. Im Vergleich zu DDR3-Module in 50 Nanometer Strukturbreite entspricht dies Samsung zufolge einer Steigerung um 60 Prozent. Doch auch für Samsung hat die Fertigung in 30 Nanometer anscheinend Vorteile. Im Vergleich zur bisherigen 50-Nanometer-Fertigung konnte Samsung die Produktivität um 155 Prozent steigern, was vermutlich zu sinkenden Preisen führen wird. Positiv auf die Preisentwicklung dürften zudem Samsungs Pläne sein, bis zum Ende des Jahres auch 4-Gbit-Chips mit einer Strukturbreite von 30 Nanometer zu fertigen.

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