In seinem Semiconductor-Bereich hat Samsung bekannt gegeben, dass man Ende des vergangenen Monats erfolgreich die ersten DDR4-RAM-Module fertigen konnte. Die verwendeten RAM-Chips besitzen eine Strukturbreite von 30 Nanometer und werden mit 1,2 Volt betrieben. Im Vergleich zu DDR3 sind dies 0,15 Volt bis 0,3 Volt weniger. Zum Einsatz kommt dabei auch die aus Grafikchips entliehene POD-Technik (Pseudo Open Drain), mit der die Leistungsaufnahme halbiert werden konnte. Beim Datentransfer erreicht das von Samsung entwickelte DDR4 mit 2.133 MB pro Sekunde rund 33 Prozent mehr als die schnellsten DDR3-RAM-Module. Samsung will in Zukunft aber noch schnellere DDR4-RAM-Module mit Transferraten von bis zu 3.200 MB pro Sekunde entwickeln. Erste RAM-Module mit 2 GB Kapazität wurden bereits zu Testzwecken an OEM-Hersteller ausgeliefert. Mit Hilfe von Server-Herstellern will man nun bei der JEDEC-Organisation die Standardisierung von DDR4 vorantreiben. Samsung rechnet für die zweite Jahreshälfte 2011 mit einer Verabschiedung des DDR4-Standards.

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