Samsung hat bereits letzten Donnerstag bekannt gegeben, dass man den weltweit ersten DDR2-Speicherchip mit 512 MBit Kapazität in 70 nm Technologie entwickelt hat. Dafür waren mehrere technologische Innovation erforderlich. Neben einer neu entwickelten Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitor-Technologie, war auch eine 3D-Transistorarchitektur namens "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" für die Weiterentwicklung nötig. In der zweiten Jahreshälfte 2006 will Samsung mit der Massenproduktion von 70 nm Speichern mit 512 MBit, 1 GBit und 2 GBit Kapazität beginnen.

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