Samsung stellt erste 8-GB-Flash-Chips mit DDR 2.0 vor
Die Weiterentwicklung im Bereich der NAND-Flash-Speicher schreitet unaufhörlich voran. So konnte Samsung heute
schnelle NAND-Flash-Chips in MLC-Organisation mit 64 Gbit Kapazität (8 GB) serienreif präsentieren. Die Chips sind in Strukturbreite von lediglich 20 Nanometer gefertigt und eigenen sich damit nicht nur für den Einsatz in SSDs sondern auch in Smartphones und Tablets. Die Anbindung der Flash-Chips an den Controller erfolgt über DDR 2.0, welches pro Chip eine Übertragungsgeschwindigkeit von 400 Mbit pro Sekunde erlaubt. Durch geschickte Kombination von Chips und Controller sind damit Geschwindigkeiten von bis zu 800 MB pro Sekunde möglich. Mit ersten Geräten auf Basis der neuen NAND-Flash-Chips ist laut Samsung in der zweiten Jahreshälfte 2011 zu rechnen.
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