Vor rund einem Jahr hatte Samsung die ersten DDR3-Speichermodule in 50-Nanometer-Strukturbreite vorgestellt. Nun konnte man die Baugröße der Chips erneut reduzieren. Wie Samsung bekannt gab, wurde nun mit der Fertigung der ersten DDR3-Chips in 30-Nanometer-Strukturbreite begonnen. Im Vergleich zur bisherigen Produktion der DDR3-Chips soll die Fertigung in 30-Nanometer-Technik deutlich kostengünstiger sein. Zunächst wird Samsung 2-Gbit-Chips produzieren die schließlich als DDR3-Module mit 4 GB Kapazität ausgeliefert werden. Dank geringerer Strukturbreite soll die Leistungsaufnahme der Module nur noch 3 Watt in der Stunde betragen. Allerdings erst für das zweite Quartal plant Samsung die Serienfertigung.

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