Wie Golem berichtet, hat Samsung einen ersten Prototypen seines neuartigen schnellen Flash-Speichers namens PRAM (Phase-change Random Access Memory) vorgestellt. Dieser soll die Vorteile von bisherigem Flash- und RAM-Speicher vereinen. So der neue Speicherstein in Tests rund 30-mal schneller als bisheriger NOR-Flash-Speicher sein und zudem eine fast 10-mal längere Lebensdauer besitzen. Darüber hinaus sei eine Speicherzelle laut Golem nur halb so groß wie bisher übliche NOR-Flash-Speicherzellen. Doch auch die Herstellung soll einfacher sein, so dass nur 80 Prozent der üblich Prozessschritte für die Produktion von Flash-Speicher notwendig sind. Samsung rechnet mit ersten serienreifen Speicherchips ab 2008 und erwartet ihren Einsatz besonders in kleinen mobilen Geräten wie Mobiltelefone.

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• golem.de