Samsung stellt stromsparende DDR3-DRAM mit 4 Gbit Kapazität vor
Samsung hat heute stromsparende DDR-Chips mit einer Kapazität von 4 Gbit (512 MB) vorgestellte. Damit lassen sich DDR3-Speicher-Module mit einer Kapazität von bis zu 16 GB produzieren. Mit der aufwändigeren und teureren Dual-Die-Fertigung sind sogar Kapazitäten von 32 GB möglich. Damit konnte Samsung
die bisherigen Speicherkapazitäten von DDR3-Chips verdoppeln. Möglich wurde dies durch die Fertigung in 50-nm-Technik und einen reduzierten Leistungsaufnahme um bis zu 40 Prozent. Zudem wurde die Spannung von bisher 1,5 Volt auf 1,35 Volt reduziert. Dennoch bieten die neuen Module im Vergleich zu 1,5-Volt-Modulen eine Leistungssteigerung von 20 Prozent. Die maximale Geschwindigkeit der neuen DDR3-Chips gibt Samsung mit 1,6 Gbit/s (200 MB/s) an. Preise und Verfügbarkeit der DDR3-Chips sowie der DDR3-Module nannte Samsung nicht.
Weiterführende Links: