SanDisk und Toshiba erhöhen Datendichte von Flash-Speicherkarten
SanDisk hat auf einer Technik-Konferenz in San Francisco gemeinsam mit Toshiba neuen Flash-Speicher vorgestellt, der eine deutlich höhere Datendichte aufweist. Mit der dazu verwendeten X4-Speichertechnik werden bis zur 4 Bit in einer Flash-Speicherzelle untergebracht. Aktuell am Markt befindliche Flash-Speicher speichern pro Zelle 1 Bit bzw. bei höherpreisigen Bausteinen 2 Bit. Mit der neue X4-Speichertechnik und 43-nm-Fertigung lassen sich so
SD-Flash-Karten mit einer Kapazität von 64 GB herstellen. Dabei bieten die acht zusammengeschaltete Flash-Baustein eine Kapazität von jeweils 8 GB. Doch auch bei den kleineren microSD-Flash-Karten konnte SanDisk die Speicherdichte erhöhen. Bei der hier entwickelten X3-Speichertechnik von 3 Bit je Zelle und 32-nm-Fertigung sind laut SanDisk Kapazitäten von 16 GB möglich. Einher mit den neuen Speicherkarten kündigte SanDisk zudem eine neue SSD (Solid State Disk) mit einer Kapazität von 240 GB an. Sie soll Mitte des Jahres erhältlich sein.
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