Wie Toshiba und Samsung bekannt gegeben haben, werden beide Unternehmen unter dem Namen DDR 2.0 NAND Flash einen schnelleren Flash-Standard entwickeln. Die Flash-Chips sollen hierbei Übertragungsraten von 400 Mbit je Sekunde erreichen, was mit geeignetem Flash-Controllern zu Übertragungsraten von 800 MB je Sekunde führen kann. Mit den neuen Spezifikationen haben die Flash-Hersteller nicht nur SSDs (Solid State Drives) im Blick, sondern wollen auch den zu erwartenden Bedarf bei den kommenden Smartphone- und Tablet-Generationen decken. Im Gegensatz zu SDR-Flash mit einer Geschwindigkeit von 40 Mbit je Sekunde erfolgt bei DDR-NAND-Flash und dem geplanten DDR-2.0-NAND-Flash die Datenverarbeitung asynchron, was sowohl beim Lesen als auch Schreiben höhere Geschwindigkeiten ermöglicht. Im Fall von DDR NAND Flash liegt die Übertragungsrate bei immerhin 133 Mbit je Sekunde. Die DDR 2.0 Spezifikationen sollen über die JEDEC Solid State Technology Association bereitgestellt werden, so dass auch konkurrierende Unternehmen sicherlich bald entsprechend schnellen Flash-Speicher entwickeln werden. Samsung und Toshiba sind im Bereich der NAND-Flash-Speicher marktführend und halten hier einen Marktanteil von mehr als 70 Prozent.

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• Toshiba